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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 0.94 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.135 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 44 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQU11P06TU | ONSEMI |
类似代替  |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-60 V，-9.4 A，185 mΩ，IPAK |
|
| FQU11P06TU | FAIRCHILD |
功能相似 |
P-Channel QFET® MOSFET -60V, -9.4A, 185mΩ, TO251 (IPAK) MOLDED,3 LEAD, 5 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQU17P06TU_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| FQU18N20V2 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| FQU18N20V2_09 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| FQU19N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
|
| FQU19N10_09 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
|
| FQU19N10L | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQU19N10LTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FQU19N10TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15.6A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FQU1N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQU1N50B | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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