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FQU1N50BTU PDF预览

FQU1N50BTU

更新时间： 2024-11-21 21:04:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 639K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 500V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, IPAK-3

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FQU1N50BTU 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.76雪崩能效等级（Eas）：80 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.1 A最大漏极电流 (ID)：1.1 A
最大漏源导通电阻：9 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251JESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：25 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：4.4 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQU1N50BTU 数据手册

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May 2000  
TM  
QFET  
FQD1N50B / FQU1N50B  
500V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supply, power  
factor correction, electronic lamp ballast based on half  
bridge.  
•
•
•
•
•
•
1.1A, 500V, R  
= 9.0Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 4.0 nC)  
Low Crss ( typical 3.0 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
"
! "  
"
"
!
G
I-PAK  
FQU Series  
D-PAK  
FQD Series  
G
S
G
D
!
S
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQD1N50 / FQU1N50  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
500  
1.1  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
0.7  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
4.4  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
80  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
1.1  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
2.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
4.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
2.5  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
25  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.2  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
5.0  
50  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, May 2000  
1234567...11

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与FQU1N50BTU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQU1N50TU FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 500V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FQU1N60 FAIRCHILD

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 		600V N-Channel MOSFET
FQU1N60C FAIRCHILD

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 		600V N-Channel MOSFET
FQU1N60C KERSEMI

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 		600V N-Channel MOSFET
FQU1N60CTU FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FQU1N60CTU ONSEMI

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 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，1 A，11.5 Ω，IPAK
FQU1N80 FAIRCHILD

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 		800V N-Channel MOSFET
FQU1N80TU ONSEMI

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 		分立式 MOSFET
FQU1P50 FAIRCHILD

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 		500V P-Channel MOSFET
FQU20N06 FAIRCHILD

获取价格

 		60V N-Channel MOSFET

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