生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-251 |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.76 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 300 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (ID): | 12 A |
最大漏源导通电阻: | 0.135 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-251 | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 48 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQU18N20V2 | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET | |
FQU18N20V2_09 | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET | |
FQU19N10 | FAIRCHILD |
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100V N-Channel MOSFET | |
FQU19N10_09 | FAIRCHILD |
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100V N-Channel MOSFET | |
FQU19N10L | FAIRCHILD |
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100V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQU19N10LTU | FAIRCHILD |
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暂无描述 | |
FQU19N10TU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 15.6A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FQU1N50 | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET | |
FQU1N50B | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET | |
FQU1N50BTU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 500V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |