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FQD12P10TM_AS004

更新时间: 2024-02-09 14:44:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 877K
描述
POWER, FET

FQD12P10TM_AS004 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.76Is Samacsys:N
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
端子面层:Matte Tin (Sn)Base Number Matches:1

FQD12P10TM_AS004 数据手册

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Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms  
+
VDS  
DUT  
_
I SD  
L
Driver  
RG  
Compliment of DUT  
(N-Channel)  
VDD  
VGS  
• dv/dt controlled by RG  
• ISD controlled by pulse period  
Gate Pulse Width  
--------------------------  
VGS  
D =  
Gate Pulse Period  
10V  
( Driver )  
Body Diode Reverse Current  
IRM  
I SD  
( DUT )  
di/dt  
IFM , Body Diode Forward Current  
VSD  
VDS  
( DUT )  
Body Diode  
VDD  
Forward Voltage Drop  
Body Diode Recovery dv/dt  
FQD12P10TM_F085 Rev. A  
6
www.fairchildsemi.com  

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