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FQD12N20LTM

更新时间： 2024-02-13 01:44:38
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 1320K
描述
功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，9.0 A，280 mΩ，DPAK

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FQD12N20LTM 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.76
雪崩能效等级（Eas）：210 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.32 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：55 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQD12N20LTM 数据手册

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Package Marking and Ordering Information  
Part Number  
Top Mark  
Package  
Packing Method Reel Size Tape Width  
Tape and Reel 16 mm  
330 mm  
Quantity  
FQD12N20LTM  
FQD12N20L  
DPAK  
2500 units  
Electrical Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted.  
C
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min. Typ.  
Max.  
Unit  
Off Characteristics  
BV  
V
= 0 V, I = 250 µA  
GS D  
Drain-Source Breakdown Voltage  
200  
--  
--  
--  
--  
V
DSS  
∆BV  
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
DSS  
I
= 250 µA, Referenced to 25°C  
0.14  
V/°C  
D
/ ∆T  
J
I
V
V
V
V
= 200 V, V = 0 V  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
1
µA  
µA  
nA  
nA  
DSS  
DS  
GS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
= 160 V, T = 125°C  
10  
DS  
GS  
GS  
C
I
I
= 20 V, V = 0 V  
Gate-Body Leakage Current, Forward  
Gate-Body Leakage Current, Reverse  
100  
-100  
GSSF  
DS  
= -20 V, V = 0 V  
GSSR  
DS  
On Characteristics  
V
V
V
V
V
= V , I = 250 µA  
Gate Threshold Voltage  
1.0  
--  
--  
2.0  
V
Ω
S
GS(th)  
DS  
GS  
D
= 10 V, I = 4.5 A  
R
Static Drain-Source  
On-Resistance  
0.22  
0.25  
0.28  
0.32  
GS  
GS  
D
DS(on)  
= 5 V, I = 4.5 A  
D
g
= 30 V, I = 4.5 A  
Forward Transconductance  
--  
11.6  
--  
FS  
DS  
D
Dynamic Characteristics  
C
C
C
Input Capacitance  
--  
--  
--  
830  
120  
17  
1080  
155  
22  
pF  
pF  
pF  
iss  
V
= 25 V, V = 0 V,  
GS  
DS  
Output Capacitance  
oss  
rss  
f = 1.0 MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
Switching Characteristics  
t
t
t
t
Turn-On Delay Time  
Turn-On Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Turn-Off Fall Time  
Total Gate Charge  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
15  
190  
60  
40  
390  
130  
250  
21  
ns  
ns  
d(on)  
V
= 100 V, I = 11.6 A,  
DD  
D
r
R
= 25 Ω  
G
ns  
d(off)  
f
(Note 4)  
(Note 4)  
120  
16  
ns  
Q
Q
Q
nC  
nC  
nC  
g
V
V
= 160 V, I = 11.6 A,  
DS  
D
2.8  
7.6  
--  
= 5 V  
gs  
gd  
GS  
--  
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings  
I
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
9.0  
36  
1.5  
--  
A
A
S
I
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current  
SM  
V
t
V
V
= 0 V, I = 9.0 A  
Drain-Source Diode Forward Voltage  
Reverse Recovery Time  
--  
V
SD  
GS  
S
= 0 V, I = 11.6 A,  
128  
0.56  
ns  
µC  
rr  
GS  
S
dI / dt = 100 A/µs  
Q
Reverse Recovery Charge  
--  
F
rr  
Notes:  
1. Repetitive rating : pulse width limited by maximum junction temperature.  
2. L = 3.9 mH, I = 9.0 A, V = 50 V, R = 25 Ω, starting T = 25°C.  
AS  
DD  
G
J
3.  
I
≤ 11.6 A, di/dt ≤ 300 A/µs, V ≤ BV  
starting T = 25°C.  
SD  
DD  
DSS,  
J
4. Essentially independent of operating temperature.  
www.fairchildsemi.com  
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQD12N20L Rev. C2  
2
1234567...10

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