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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X24 | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.51 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | UL RECOGNIZED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | COMPLEX | JESD-30 代码： | R-XUFM-X24 |
| 元件数量： | 7 | 端子数量： | 24 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 620 ns | 标称接通时间 (ton)： | 210 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FP25R12KT4B11BOSA1 | INFINEON | Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| FP25R12KT4B15BOSA1 | INFINEON | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24 |
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| FP25R12KT4BOSA1 | INFINEON | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, MODULE-23 |
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| FP25R12N2T7 | INFINEON | EconoPIM? 2?1200 V, 25 A three phase PIM IGBT module with TRENCHSTOP? IGBT7, Emitter Contr |
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| FP25R12U1T4 | INFINEON | SmartPIM module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / |
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| FP25R12W1T7 | INFINEON | EasyPIM™ 1B 1200 V, 25 A集成三相输入整流器PIM（功率集成模块）I |
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