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FP25R12W2T4B11BOMA1

更新时间： 2024-11-05 21:08:31

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	618K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35

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FP25R12W2T4B11BOMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X23	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	2.08
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	39 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	COMPLEX
JESD-30 代码：	R-XUFM-X23	元件数量：	7
端子数量：	23	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	520 ns	标称接通时间 (ton)：	47 ns
Base Number Matches：	1

FP25R12W2T4B11BOMA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FP25R12W2T4_B11

EasyPIM™2BꢀModulꢀPressFITꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlled4ꢀDiodeꢀ

EasyPIM™2BꢀmoduleꢀPressFITꢀwithꢀtrench/fieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlled4ꢀDiodeꢀ

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1200

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 100°C, T_{vj max}= 175°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175°C

I_{C nom}

I_C

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175°C

175

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 25 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,85 2,25

2,15

2,25

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 0,80 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

V_GEth

Q_G

5,2

5,8

0,20

0,0

1,45

0,05

ꢀ

6,4

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

1,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 25 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 20 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,026

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 25 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 20 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,016

0,02

0,021

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 25 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 20 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,19

0,28

0,30

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 25 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 20 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,18

0,21

0,22

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 25 A, V_CE= 600 V, L_S= 35 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 1700 A/µs (T_vj= 150°C) T_vj= 125°C

R_Gon= 20 Ω

T_vj= 25°C

1,60

2,40

2,60

E_on

E_off

T_vj= 150°C

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 25 A, V_CE= 600 V, L_S= 35 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (T_vj= 150°C)T_vj= 125°C

R_Goff= 20 Ω

T_vj= 25°C

1,45

2,15

2,35

ꢀ

T_vj= 150°C

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 800 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 150°C

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,75 0,85 K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,70

K/W

°C

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

150

preparedꢀby:ꢀCM

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-04

revision:ꢀ2.1

12 3 4 5 6 7...11

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与FP25R12W2T4B11BOMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FP25R12W2T4BOMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
FP25R12W2T4ENG	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FP25R12W2T4P	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FP25R12W2T4P_B11	INFINEON	获取价格	TIM
FP25R12W2T4PB11BPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
FP25R12W2T4PBPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
FP25R12W2T7	INFINEON	获取价格	EasyPACK??2B 1200 V,?25 A?PIM?IGBT模块，采用TRENCH
FP25R12W2T7_B11	INFINEON	获取价格	PressFIT
FP25S	VMI	获取价格	2,500 V - 10,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 3000 ns Recovery Time
FP25S	NJSEMI	获取价格	RECTIFIER STACKS 2.2 A FORWARD CURRENT 3000 NS RECOVERY TIME

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