Datasheet > 晶体管 > IGBT> FP25R12W2T4ENG

FP25R12W2T4ENG

更新时间： 2024-11-05 12:59:03

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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FP25R12W2T4ENG 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	Base Number Matches：	1

FP25R12W2T4ENG 数据手册

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FP25R12W2T4

IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter

Vorläufige Daten / preliminary data

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

KollektorꢁEmitterꢁSperrspannung

collectorꢁemitterꢀvoltage

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

V†Š»

ꢀ

1200

ꢀ

KollektorꢁDauergleichstrom

DCꢁcollectorꢀcurrent

T†ꢀ=ꢀ100°C,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ175°C

T†ꢀ=ꢀ25°C,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ175°C

I†ꢀÒÓÑ

I†

PeriodischerꢀKollektorꢀSpitzenstrom

repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t«ꢀ=ꢀ1ꢀms

I†ç¢

PÚÓÚ

GesamtꢁVerlustleistung

totalꢀpowerꢀdissipation

T†ꢀ=ꢀ25°C,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ175°C

ꢀ

175

GateꢁEmitterꢁSpitzenspannung

gateꢁemitterꢀpeakꢀvoltage

V•Š»

+/ꢁ20

Charakteristische Werte / characteristic values

min. typ. max.

KollektorꢁEmitterꢀSättigungsspannung

collectorꢁemitterꢀsaturationꢀvoltage

I†ꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀV•Šꢀ=ꢀ15ꢀV

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

TÝÎꢀ=ꢀ125°C V†ŠꢀÙÈÚ

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

ꢀ

1,85 2,25

ꢀ

2,15

2,25

GateꢁSchwellenspannung

gateꢀthresholdꢀvoltage

I†ꢀ=ꢀ0,80ꢀmA,ꢀV†Šꢀ=ꢀV•Š,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ25°C

V•Šꢀ=ꢀꢁ15ꢀVꢀ...ꢀ+15ꢀV

V•ŠÚÌ

Q•

5,2

5,8

0,20

0,0

1,45

0,05

ꢀ

6,4

ꢂC

Gateladung

gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

internalꢀgateꢀresistor

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

R•ÍÒÚ

CÍþÙ

CØþÙ

I†Š»

I•Š»

Eingangskapazität

inputꢀcapacitance

fꢀ=ꢀ1ꢀMHz,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ25°C,ꢀV†Šꢀ=ꢀ25ꢀV,ꢀV•Šꢀ=ꢀ0ꢀV

V†Šꢀ=ꢀ1200ꢀV,ꢀV•Šꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ25°C

V†Šꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀV•Šꢀ=ꢀ20ꢀV,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ25°C

Rückwirkungskapazität

reverseꢀtransferꢀcapacitance

KollektorꢁEmitterꢀReststrom

collectorꢁemitterꢀcutꢁoffꢀcurrent

1,0 mA

GateꢁEmitterꢀReststrom

gateꢁemitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

ꢂs

Einschaltverzögerungszeitꢀ(ind.ꢀLast)

turnꢁonꢀdelayꢀtimeꢀ(inductiveꢀload)

I†ꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀV†Šꢀ=ꢀ600ꢀV

V•Šꢀ=ꢀ±15ꢀV

R•ÓÒꢀ=ꢀ20ꢀÂ

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

tÁꢀÓÒ

0,026

TÝÎꢀ=ꢀ125°C

ꢀ

ꢂs

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

Anstiegszeitꢀ(induktiveꢀLast)

riseꢀtimeꢀ(inductiveꢀload)

I†ꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀV†Šꢀ=ꢀ600ꢀV

V•Šꢀ=ꢀ±15ꢀV

R•ÓÒꢀ=ꢀ20ꢀÂ

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

0,016

0,02

0,021

ꢂs

tØ

TÝÎꢀ=ꢀ125°C

ꢀ

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

Abschaltverzögerungszeitꢀ(ind.ꢀLast)

turnꢁoffꢀdelayꢀtimeꢀ(inductiveꢀload)

I†ꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀV†Šꢀ=ꢀ600ꢀV

V•Šꢀ=ꢀ±15ꢀV

R•ÓËËꢀ=ꢀ20ꢀÂ

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

tÁꢀÓËË

0,19

0,28

0,30

ꢂs

TÝÎꢀ=ꢀ125°C

ꢀ

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

Fallzeitꢀ(induktiveꢀLast)

fallꢀtimeꢀ(inductiveꢀload)

I†ꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀV†Šꢀ=ꢀ600ꢀV

V•Šꢀ=ꢀ±15ꢀV

R•ÓËËꢀ=ꢀ20ꢀÂ

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

0,18

0,21

0,22

ꢂs

tË

TÝÎꢀ=ꢀ125°C

ꢀ

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

turnꢁonꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I†ꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀV†Šꢀ=ꢀ600ꢀV,ꢀL»ꢀ=ꢀ35ꢀnH TÝÎꢀ=ꢀ25°C

V•Šꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀdi/dtꢀ=ꢀ1700ꢀA/ꢂsꢀ(TÝÎ=150°C) TÝÎꢀ=ꢀ125°C

R•ÓÒꢀ=ꢀ20ꢀÂ

1,60

2,40

2,60

EÓÒ

EÓËË

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

turnꢁoffꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I†ꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀV†Šꢀ=ꢀ600ꢀV,ꢀL»ꢀ=ꢀ35ꢀnH TÝÎꢀ=ꢀ25°C

V•Šꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀdu/dtꢀ=ꢀ3600ꢀV/ꢂsꢀ(TÝÎ=150°C) TÝÎꢀ=ꢀ125°C

R•ÓËËꢀ=ꢀ20ꢀÂ

1,45

2,15

2,35

ꢀ

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

Kurzschlussverhalten

SCꢀdata

V•Šꢀùꢀ15ꢀV,ꢀV††ꢀ=ꢀ900ꢀVꢀ

V†ŠÑÈàꢀ=ꢀV†Š»ꢀꢁLÙ†Šꢀꢃdi/dt

ꢀ ꢀ

t«ꢀùꢀ10ꢀꢂs,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ150°C

ꢀ

I»†

ꢀ

InnererꢀWärmewiderstand

thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

ð«ÈÙÚþꢀ=ꢀ1ꢀW/(mꢃK)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀðÃØþÈÙþꢀ=ꢀ1ꢀW/(mꢃK)

RÚÌœ†

RÚÌ†™

0,75 0,85 K/W

0,70 K/W

ÜbergangsꢁWärmewiderstand

thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2009ꢁ07ꢁ23

revision:ꢀ2.2

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FP25R12W2T4P	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FP25R12W2T4P_B11	INFINEON	获取价格	TIM
FP25R12W2T4PB11BPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
FP25R12W2T4PBPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
FP25R12W2T7	INFINEON	获取价格	EasyPACK??2B 1200 V,?25 A?PIM?IGBT模块，采用TRENCH
FP25R12W2T7_B11	INFINEON	获取价格	PressFIT
FP25S	VMI	获取价格	2,500 V - 10,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 3000 ns Recovery Time
FP25S	NJSEMI	获取价格	RECTIFIER STACKS 2.2 A FORWARD CURRENT 3000 NS RECOVERY TIME
FP2616-I-22	NEC	获取价格	Ferrite Cores
FP2650002	TI	获取价格	Low-Noise Two-Channel 100-MHz Clock Generator

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