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FP25R12W2T4B11BOMA1

更新时间： 2024-02-19 07:26:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	618K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35

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技术参数
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FP25R12W2T4B11BOMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X23	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	2.08
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	39 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	COMPLEX
JESD-30 代码：	R-XUFM-X23	元件数量：	7
端子数量：	23	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	520 ns	标称接通时间 (ton)：	47 ns
Base Number Matches：	1

FP25R12W2T4B11BOMA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FP25R12W2T4_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ

Z_thJHꢀ=ꢀfꢀ(t)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

E_on, T_vj= 125°C

Z_thJH: IGBT

E_off, T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 150°C

E_off, T_vj= 150°C

r_i[K/W]: 0,084 0,195 0,587 0,585

τ_i[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2

0,1

20 40 60 80 100 120 140 160 180 200

0,001

0,01

0,1

t [s]

R_G[Ω]

SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter

(RBSOA)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ20ꢀΩ,ꢀT_vjꢀ=ꢀ150°C

I_C, Modul

T_vj= 25°C

I_C, Chip

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

200

400

600

800

1000 1200 1400

0,0

0,5

1,0

1,5

V_F[V]

2,0

2,5

3,0

V_CE[V]

preparedꢀby:ꢀCM

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-04

revision:ꢀ2.1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FP25R12W2T4BOMA1	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35	获取价格
FP25R12W2T4ENG	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor,	获取价格
FP25R12W2T4P	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor,	获取价格
FP25R12W2T4P_B11	INFINEON	TIM	获取价格
FP25R12W2T4PB11BPSA1	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35	获取价格
FP25R12W2T4PBPSA1	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35	获取价格