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FP25R12W2T4

更新时间： 2024-11-05 06:59:55

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter

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FP25R12W2T4 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35	针数：	35
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.08	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	39 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	COMPLEX
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X35
元件数量：	7	端子数量：	35
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	175 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	685 ns
标称接通时间 (ton)：	133 ns	VCEsat-Max：	2.25 V
Base Number Matches：	1

FP25R12W2T4 数据手册

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FP25R12W2T4

IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter

Vorläufige Daten / preliminary data

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

KollektorꢁEmitterꢁSperrspannung

collectorꢁemitterꢀvoltage

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

V†Š»

ꢀ

1200

ꢀ

KollektorꢁDauergleichstrom

DCꢁcollectorꢀcurrent

T†ꢀ=ꢀ100°C,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ175°C

T†ꢀ=ꢀ25°C,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ175°C

I†ꢀÒÓÑ

I†

PeriodischerꢀKollektorꢀSpitzenstrom

repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t«ꢀ=ꢀ1ꢀms

I†ç¢

PÚÓÚ

GesamtꢁVerlustleistung

totalꢀpowerꢀdissipation

T†ꢀ=ꢀ25°C,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ175°C

ꢀ

175

GateꢁEmitterꢁSpitzenspannung

gateꢁemitterꢀpeakꢀvoltage

V•Š»

+/ꢁ20

Charakteristische Werte / characteristic values

min. typ. max.

KollektorꢁEmitterꢀSättigungsspannung

collectorꢁemitterꢀsaturationꢀvoltage

I†ꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀV•Šꢀ=ꢀ15ꢀV

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

TÝÎꢀ=ꢀ125°C V†ŠꢀÙÈÚ

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

ꢀ

1,85 2,25

ꢀ

2,15

2,25

GateꢁSchwellenspannung

gateꢀthresholdꢀvoltage

I†ꢀ=ꢀ0,80ꢀmA,ꢀV†Šꢀ=ꢀV•Š,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ25°C

V•Šꢀ=ꢀꢁ15ꢀVꢀ...ꢀ+15ꢀV

V•ŠÚÌ

Q•

5,2

5,8

0,20

0,0

1,45

0,05

ꢀ

6,4

ꢂC

Gateladung

gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

internalꢀgateꢀresistor

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

R•ÍÒÚ

CÍþÙ

CØþÙ

I†Š»

I•Š»

Eingangskapazität

inputꢀcapacitance

fꢀ=ꢀ1ꢀMHz,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ25°C,ꢀV†Šꢀ=ꢀ25ꢀV,ꢀV•Šꢀ=ꢀ0ꢀV

V†Šꢀ=ꢀ1200ꢀV,ꢀV•Šꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ25°C

V†Šꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀV•Šꢀ=ꢀ20ꢀV,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ25°C

Rückwirkungskapazität

reverseꢀtransferꢀcapacitance

KollektorꢁEmitterꢀReststrom

collectorꢁemitterꢀcutꢁoffꢀcurrent

1,0 mA

GateꢁEmitterꢀReststrom

gateꢁemitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

ꢂs

Einschaltverzögerungszeitꢀ(ind.ꢀLast)

turnꢁonꢀdelayꢀtimeꢀ(inductiveꢀload)

I†ꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀV†Šꢀ=ꢀ600ꢀV

V•Šꢀ=ꢀ±15ꢀV

R•ÓÒꢀ=ꢀ20ꢀÂ

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

tÁꢀÓÒ

0,026

TÝÎꢀ=ꢀ125°C

ꢀ

ꢂs

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

Anstiegszeitꢀ(induktiveꢀLast)

riseꢀtimeꢀ(inductiveꢀload)

I†ꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀV†Šꢀ=ꢀ600ꢀV

V•Šꢀ=ꢀ±15ꢀV

R•ÓÒꢀ=ꢀ20ꢀÂ

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

0,016

0,02

0,021

ꢂs

tØ

TÝÎꢀ=ꢀ125°C

ꢀ

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

Abschaltverzögerungszeitꢀ(ind.ꢀLast)

turnꢁoffꢀdelayꢀtimeꢀ(inductiveꢀload)

I†ꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀV†Šꢀ=ꢀ600ꢀV

V•Šꢀ=ꢀ±15ꢀV

R•ÓËËꢀ=ꢀ20ꢀÂ

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

tÁꢀÓËË

0,19

0,28

0,30

ꢂs

TÝÎꢀ=ꢀ125°C

ꢀ

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

Fallzeitꢀ(induktiveꢀLast)

fallꢀtimeꢀ(inductiveꢀload)

I†ꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀV†Šꢀ=ꢀ600ꢀV

V•Šꢀ=ꢀ±15ꢀV

R•ÓËËꢀ=ꢀ20ꢀÂ

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

0,18

0,21

0,22

ꢂs

tË

TÝÎꢀ=ꢀ125°C

ꢀ

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

turnꢁonꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I†ꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀV†Šꢀ=ꢀ600ꢀV,ꢀL»ꢀ=ꢀ35ꢀnH TÝÎꢀ=ꢀ25°C

V•Šꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀdi/dtꢀ=ꢀ1700ꢀA/ꢂsꢀ(TÝÎ=150°C) TÝÎꢀ=ꢀ125°C

R•ÓÒꢀ=ꢀ20ꢀÂ

1,60

2,40

2,60

EÓÒ

EÓËË

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

turnꢁoffꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I†ꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀV†Šꢀ=ꢀ600ꢀV,ꢀL»ꢀ=ꢀ35ꢀnH TÝÎꢀ=ꢀ25°C

V•Šꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀdu/dtꢀ=ꢀ3600ꢀV/ꢂsꢀ(TÝÎ=150°C) TÝÎꢀ=ꢀ125°C

R•ÓËËꢀ=ꢀ20ꢀÂ

1,45

2,15

2,35

ꢀ

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

Kurzschlussverhalten

SCꢀdata

V•Šꢀùꢀ15ꢀV,ꢀV††ꢀ=ꢀ900ꢀVꢀ

V†ŠÑÈàꢀ=ꢀV†Š»ꢀꢁLÙ†Šꢀꢃdi/dt

ꢀ ꢀ

t«ꢀùꢀ10ꢀꢂs,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ150°C

ꢀ

I»†

ꢀ

InnererꢀWärmewiderstand

thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

ð«ÈÙÚþꢀ=ꢀ1ꢀW/(mꢃK)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀðÃØþÈÙþꢀ=ꢀ1ꢀW/(mꢃK)

RÚÌœ†

RÚÌ†™

0,75 0,85 K/W

0,70 K/W

ÜbergangsꢁWärmewiderstand

thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2009ꢁ07ꢁ23

revision:ꢀ2.2

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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