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FP25R12W2T4_B11

更新时间： 2024-11-05 06:59:55

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	3008K
描述
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter HÃ¶chstzulÃ¤ssige Werte / maximum rated values

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FP25R12W2T4_B11 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X23	针数：	35
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.53	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	39 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	COMPLEX	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X23	元件数量：	7
端子数量：	23	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	175 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	520 ns	标称接通时间 (ton)：	47 ns
VCEsat-Max：	2.25 V	Base Number Matches：	1

FP25R12W2T4_B11 数据手册

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FP25R12W2T4_B11

EasyPIM™2B Modul PressFIT mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled4 Diode

EasyPIM™2B module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode

IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter

Vorläufige Daten / preliminary data

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

TÝÎ = 25°C

V†Š»

1200

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

T† = 100°C, TÝÎ = 175°C

T† = 25°C, TÝÎ = 175°C

I† ÒÓÑ

I†

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t« = 1 ms

I†ç¢

PÚÓÚ

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T† = 25°C, TÝÎ = 175°C

175

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V•Š»

+/-20

Charakteristische Werte / characteristic values

min. typ. max.

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I† = 25 A, V•Š = 15 V

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ

TÝÎ = 150°C

1,85 2,25

2,15

2,25

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

I† = 0,80 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C

V•Š = -15 V ... +15 V

V•ŠÚÌ

Q•

5,2

5,8

0,20

0,0

6,4

µC

Gateladung

gate charge

Interner Gatewiderstand

internal gate resistor

TÝÎ = 25°C

R•ÍÒÚ

CÍþÙ

CØþÙ

I†Š»

I•Š»

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V

V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C

V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C

1,45

0,05

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

1,0 mA

400 nA

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn-on delay time (inductive load)

I† = 25 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V

R•ÓÒ = 20 Â

TÝÎ = 25°C

tÁ ÓÒ

0,026

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Anstiegszeit (induktive Last)

rise time (inductive load)

I† = 25 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V

R•ÓÒ = 20 Â

TÝÎ = 25°C

tØ

0,016

0,02

0,021

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn-off delay time (inductive load)

I† = 25 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V

R•ÓËË = 20 Â

TÝÎ = 25°C

tÁ ÓËË

0,19

0,28

0,30

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Fallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load)

I† = 25 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V

R•ÓËË = 20 Â

TÝÎ = 25°C

tË

0,18

0,21

0,22

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Einschaltverlustenergie pro Puls

turn-on energy loss per pulse

I† = 25 A, V†Š = 600 V, L» = 35 nH TÝÎ = 25°C

V•Š = ±15 V, di/dt = 1700 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C

1,60

2,40

2,60

EÓÒ

EÓËË

R•ÓÒ = 20 Â

TÝÎ = 150°C

Abschaltverlustenergie pro Puls

turn-off energy loss per pulse

I† = 25 A, V†Š = 600 V, L» = 35 nH TÝÎ = 25°C

V•Š = ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C

1,45

2,15

2,35

R•ÓËË = 20 Â

TÝÎ = 150°C

Kurzschlussverhalten

SC data

V•Š ù 15 V, V†† = 800 V

V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt

I»†

t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

pro IGBT / per IGBT

ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)

RÚÌœ†

RÚÌ†™

0,75 0,85 K/W

0,70 K/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

prepared by: CM

approved by: RS

date of publication: 2009-07-16

revision: 2.1

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与FP25R12W2T4_B11相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FP25R12W2T4B11BOMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
FP25R12W2T4BOMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
FP25R12W2T4ENG	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FP25R12W2T4P	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FP25R12W2T4P_B11	INFINEON	获取价格	TIM
FP25R12W2T4PB11BPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
FP25R12W2T4PBPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
FP25R12W2T7	INFINEON	获取价格	EasyPACK??2B 1200 V,?25 A?PIM?IGBT模块，采用TRENCH
FP25R12W2T7_B11	INFINEON	获取价格	PressFIT
FP25S	VMI	获取价格	2,500 V - 10,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 3000 ns Recovery Time

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