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Datasheet > 晶体管 > IGBT> FP25R12KT4_B15
FP25R12KT4_B15 PDF预览

FP25R12KT4_B15

更新时间： 2024-01-23 06:01:03
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英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
12页 581K
描述
EconoPIM2 module with Trench/Fieldstopp IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode

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FP25R12KT4_B15 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X24针数：24
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.51
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：COMPLEXJESD-30 代码：R-XUFM-X24
元件数量：7端子数量：24
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：620 ns标称接通时间 (ton)：210 ns
Base Number Matches：1

FP25R12KT4_B15 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FP25R12KT4_B15  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Diode-Brems-Chopper / Diode-brake-chopper  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
Vçç¢  
1200  
10  
V
A
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IŒ  
IŒç¢  
I²t  
Periodischer Spitzenstrom  
tÔ = 1 ms  
20  
A
repetitive peak forw. current  
Grenzlastintegral  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
I²t - value  
16,0  
A²s  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 10 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 10 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 10 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
1,75 2,15  
1,75  
1,75  
V
V
V
VŒ  
Iç¢  
QØ  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 500 A/µs (TÝÎ=150°C)  
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
12,0  
10,0  
8,00  
A
A
A
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 500 A/µs (TÝÎ=150°C)  
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
0,90  
1,70  
1,90  
µC  
µC  
µC  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 500 A/µs (TÝÎ=150°C)  
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
0,24  
0,52  
0,59  
mJ  
mJ  
mJ  
EØþÊ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode / per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
2,30 K/W  
K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) /ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
0,875  
NTC-Widerstand / NTC-thermistor  
Charakteristische Werte / characteristic values  
Nennwiderstand  
rated resistance  
min. typ. max.  
5,00  
T† = 25°C  
Rèë  
ÆR/R  
Pèë  
k  
%
Abweichung von Ræåå  
deviation of Ræåå  
T† = 100°C, Ræåå = 493 Â  
-5  
5
Verlustleistung  
power dissipation  
T† = 25°C  
20,0 mW  
B-Wert  
B-value  
Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]  
Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))]  
Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))]  
Bèëõëå  
Bèëõîå  
Bèëõæåå  
3375  
3411  
3433  
K
K
K
B-Wert  
B-value  
B-Wert  
B-value  
Angaben gemäß gültiger Application Note.  
Specification according to the valid application note.  
prepared by: AS  
approved by: RS  
date of publication: 2011-01-20  
revision: 2.0  
5
12345678...12

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