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FP25R12KT4_B15

更新时间： 2024-01-24 19:08:20

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英飞凌 - INFINEON		晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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12页	581K
描述
EconoPIM2 module with Trench/Fieldstopp IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode

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FP25R12KT4_B15 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X24	针数：	24
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.51
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	COMPLEX	JESD-30 代码：	R-XUFM-X24
元件数量：	7	端子数量：	24
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	620 ns	标称接通时间 (ton)：	210 ns
Base Number Matches：	1

FP25R12KT4_B15 数据手册

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FP25R12KT4_B15

Vorläufige Daten

preliminary data

Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)

output characteristic IGBT-inverter (typical)

I† = f (V†Š)

Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)

output characteristic IGBT-inverter (typical)

I† = f (V†Š)

TÝÎ = 150°C

V•Š = 15 V

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

V•Š = 19V

V•Š = 17V

V•Š = 15V

V•Š = 13V

V•Š = 11V

V•Š = 9V

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

V†Š [V]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

V†Š [V]

Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)

transfer characteristic IGBT-inverter (typical)

I† = f (V•Š)

Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)

switching losses IGBT-inverter (typical)

EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)

V†Š = 20 V

V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 18 Â, R•ÓËË = 18 Â, V†Š = 600 V

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

EÓÒ, TÝÎ = 125°C

EÓËË, TÝÎ = 125°C

EÓÒ, TÝÎ = 150°C

EÓËË, TÝÎ = 150°C

8 9

V•Š [V]

10 15 20 25 30 35 40 45 50

I† [A]

prepared by: AS

approved by: RS

date of publication: 2011-01-20

revision: 2.0

1...4 5 678 9 10...12

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