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FMMT495TA

更新时间: 2024-02-03 05:03:36
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美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管PC局域网
页数 文件大小 规格书
7页 209K
描述
150V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23

FMMT495TA 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Transferred
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.25Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):1 A基于收集器的最大容量:10 pF
集电极-发射极最大电压:150 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1

FMMT495TA 数据手册

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A Product Line of  
Diodes Incorporated  
FMMT495  
Typical Electrical Characteristics (@TA = +25°C, unless otherwise specified.)  
5 of 7  
www.diodes.com  
October 2012  
© Diodes Incorporated  
FMMT495  
Document number: DS33096 Rev. 4 - 2  

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