FMMT458QTA

更新时间： 2024-11-14 13:07:51

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美台 - DIODES		晶体晶体管开关光电二极管高压局域网
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2页	79K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.225A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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FMMT458QTA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	13 weeks	风险等级：	0.94
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：	0.225 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
参考标准：	AEC-Q101	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

FMMT458QTA 数据手册

SOT23 NPN SILICON PLANAR

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

FMMT458

ISSUE 4 – APRIL 2002

FEATURES

400 Volt V_CEO

COMPLEMENTARY TYPE –

PARTMARKING DETAIL –

FMMT558

458

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

400

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

400

225

Continuous Collector Current

Peak Pulse Current

I_CM

Base Current

I_B

200

°C

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

500

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C).

amb

PARAMETER

SYMBOL

MIN.

MAX.

UNIT

CONDITIONS.

I_C=100µA

Collector-Base

V_(BR)CBO

400

Breakdown Voltage

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

Emitter-Base

Breakdown Voltage

V_CEO(sus)

V_(BR)EBO

I_C=10mA*

I_E=100µA

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

I_CBO

I_CES

I_EBO

100

V_CB=320V

V_CE=320V

V_EB=4V

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

0.2

0.5

I_C=20mA, I_B=2mA*

I_C=50mA, I_B=6mA*

Base-Emitter

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE

0.9

I_C=50mA, I_B=5mA*

Saturation Voltage

Base-Emitter

Turn On Voltage

Static Forward

Current Transfer Ratio

0.9

I_C=50mA, V_CE=10V*

100

I_C=1mA, V_CE=10V

I_C=50mA, V_CE=10V*

I_C=100mA, V_CE=10V*

I_C=10mA, V_CE=20V

f=20MHz

300

Transition Frequency

f_T

MHz

Output Capacitance

Switching times

C_obo

t_on

t_off

V_CB=20V, f=1MHz

135 Typical

2260 Typical

I_C=50mA, V_CC=100V

I_B1=5mA, I_B2=-10mA

*Measured under pulsed conditions.

Spice parameter data is available upon request for this device

TBA

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FMMT458TA	DIODES	类似代替	400V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT23
FMMT458TC	DIODES	功能相似	暂无描述
FMMT458	DIODES	功能相似	SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

与FMMT458QTA相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FMMT458TA	DIODES	获取价格	400V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT23
FMMT458TC	DIODES	获取价格	暂无描述
FMMT459	KEXIN	获取价格	Silicon NPN High Voltage Switching Transistor
FMMT459	TYSEMI	获取价格	6V reverse blocking capability, IC=150mA continuous
FMMT459	ZETEX	获取价格	450V SILICON NPN HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
FMMT459	DIODES	获取价格	NPN, 450V, 0.15A, SOT23
FMMT459_05	ZETEX	获取价格	500V Silicon NPN high voltage switching transistor
FMMT459Q	DIODES	获取价格	NPN, 450V, 0.15A, SOT23
FMMT459TA	ZETEX	获取价格	450V SILICON NPN HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
FMMT459TC	ZETEX	获取价格	450V SILICON NPN HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR

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