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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT458QTA
FMMT458QTA PDF预览

FMMT458QTA

更新时间： 2024-09-23 13:07:51
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管开关光电二极管高压局域网
页数 文件大小 规格书
2页 79K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.225A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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FMMT458QTA 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：13 weeks风险等级：0.94
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：0.225 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
参考标准：AEC-Q101子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

FMMT458QTA 数据手册

 浏览型号FMMT458QTA的Datasheet PDF文件第2页 
SOT23 NPN SILICON PLANAR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
FMMT458  
ISSUE 4 – APRIL 2002  
FEATURES  
*
400 Volt VCEO  
E
C
COMPLEMENTARY TYPE –  
PARTMARKING DETAIL –  
FMMT558  
458  
B
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
400  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
400  
V
5
225  
V
Continuous Collector Current  
Peak Pulse Current  
mA  
A
ICM  
1
Base Current  
IB  
200  
mA  
mW  
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
500  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
CONDITIONS.  
IC=100µA  
Collector-Base  
V(BR)CBO  
400  
400  
5
Breakdown Voltage  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
VCEO(sus)  
V(BR)EBO  
V
V
IC=10mA*  
IE=100µA  
Collector Cut-Off Current  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
ICBO  
ICES  
IEBO  
100  
100  
100  
nA  
nA  
nA  
VCB=320V  
VCE=320V  
VEB=4V  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
0.2  
0.5  
V
V
IC=20mA, IB=2mA*  
IC=50mA, IB=6mA*  
Base-Emitter  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
0.9  
V
IC=50mA, IB=5mA*  
Saturation Voltage  
Base-Emitter  
Turn On Voltage  
Static Forward  
Current Transfer Ratio  
0.9  
V
IC=50mA, VCE=10V*  
100  
100  
15  
IC=1mA, VCE=10V  
IC=50mA, VCE=10V*  
IC=100mA, VCE=10V*  
IC=10mA, VCE=20V  
f=20MHz  
300  
5
Transition Frequency  
fT  
50  
MHz  
pF  
ns  
ns  
Output Capacitance  
Switching times  
Cobo  
ton  
toff  
VCB=20V, f=1MHz  
135 Typical  
2260 Typical  
IC=50mA, VCC=100V  
IB1=5mA, IB2=-10mA  
*Measured under pulsed conditions.  
Spice parameter data is available upon request for this device  
TBA  
12

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