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FMMT4403 PDF预览

FMMT4403

更新时间： 2024-02-21 07:57:33
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2页 33K
描述
SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

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FMMT4403 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.17
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：255 ns最大开启时间（吨）：35 ns
Base Number Matches：1

FMMT4403 数据手册

 浏览型号FMMT4403的Datasheet PDF文件第2页 
SOT23 PNP SILICON PLANAR  
FMMT4402  
FMMT4403  
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR  
✪
ISSUE 2 - MARCH 1995  
E
PARTMARKING DETAILS:  
FMMT4402 - 2K  
FMMT4403 - 2L  
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-40  
-40  
Collector-Emitter Voltage  
V
Emitter-Base Voltage  
-5  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
-600  
A
Ptot  
330  
mW  
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated)  
amb  
FMMT4402  
MIN. MAX.  
-40  
FMMT4403  
MIN.  
-40  
MAX.  
PARAMETER  
SYMBOL  
V(BR)CEO  
CONDITIONS  
IC=-1mA, IB=0  
UNIT  
V
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICEX  
-40  
-5  
-40  
-5  
V
V
IC=-0.1mA, IE=0  
IE=-0.1mA, IC=0  
Emitter-Base  
Breakdown Current  
Collector-Emitter  
Cut-Off Current  
-0.1  
-0.1  
-0.1  
-0.1  
VCE=-35V  
VEB(off) =-0.4V  
µA  
µA  
Base Cut-Off  
Current  
IBEX  
VCE=-35V  
VEB(off) =-0.4V  
Static Forward  
Current  
TransferRatio  
hFE  
30  
60  
100  
100  
20  
IC=-0.1mA, VCE=-1V  
IC=-1mA, VCE=-1V  
IC=-10mA, VCE=-1V  
IC=-150mA,VCE=-2V*  
IC=-500mA,VCE=-2V*  
30  
50  
50  
20  
150  
300  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
-0.4  
-0.75  
-0.4  
-0.75  
V
V
IC=-150mA,IB=-15mA*  
IC=-500mA,IB=-50mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
-0.75 -0.95  
-1.3  
-0.75  
200  
-0.95  
-1.3  
V
V
IC=-150mA,IB=-15mA*  
IC=-500mA,IB=-50mA  
Transition  
Frequency  
150  
8.5  
30  
MHz IC=-20mA,VCE=-10V  
f=100MHz  
Output Capacitance Cobo  
Input Capacitance Cibo  
8.5  
30  
pF VCB=-10 V,IE=0  
f=100kHz  
pF VBE=0.5V  
IC=0, f=100kHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
PAGE NUMBER  
12

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