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FGW15N40

更新时间： 2024-11-02 13:00:15

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	111K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TSSOP-8

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FGW15N40 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSSOP	包装说明：	TSSOP-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	0.85 V
门极-发射极最大电压：	10 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1540 ns
标称接通时间 (ton)：	860 ns	Base Number Matches：	1

August 2005

FGW15N40A

Strobe Flash N-Channel Logic Level IGBT

Features

General Description

V_CE(SAT)= 4.4V at I_C=150A

This N-Channel IGBT is a MOS gated, logic level device

which has been especially tailored for camera flash applica-

tions where board space is a premium. These devices have

been designed to offer exceptional power dissipation in a

very small footprint for applications where bigger, more ex-

pensive packages are impractical. The gate is ESD protect-

ed with a zener diode.

t_fl= 1.1µs, td_(OFF)I= 0.46µs

2kV ESD Protected

High Peak Current Density

TSSOP

- 8 package, small footprint, low profile

(1mm thick)

Applications

Camera Strobe

Internal Diagram

Pin 1

TSSOP-8

FGW15N40A Rev. A2

www.fairchildsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FGW15N40A	FAIRCHILD	获取价格	Strobe Flash N-Channel Logic Level IGBT
FGW15N40A_NL	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, TSSOP-8
FGW25N120VD	FUJI	获取价格	Discrete IGBT (High-Speed V series) 1200V / 25A
FGW25N120W	FUJI	获取价格	Molded Package TO-247-P
FGW25N120WD	FUJI	获取价格	Molded Package TO-247-P
FGW25N120WE	FUJI	获取价格	Molded Package TO-247-P2
FGW30N120H	FUJI	获取价格	Discrete IGBT (High-Speed V series) 1200V / 30A
FGW30N120HD	FUJI	获取价格	Discrete IGBT (High-Speed V series) 1200V / 30A
FGW30N60VD	FUJI	获取价格	Discrete IGBT (High-Speed V series) 600V / 30A
FGW30N65W	FUJI	获取价格	Molded Package TO-247