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FGW40N65W

更新时间： 2024-11-03 15:18:31
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富士电机 - FUJI /
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7页 651K
描述
Molded Package

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FGW40N65W 数据手册

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http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/  
Discrete IGBT  
FGW40N65W  
Discrete IGBT (High-Speed W series)  
650V / 40A  
Features  
Low power loss  
Low switching surge and noise  
High reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.)  
Applications  
Uninterruptible power supply  
PV Power coditionner  
Inverter welding machine  
Maximum Ratings and Characteristics  
Equivalent circuit  
Collector  
Absolute Maximum Ratings (at T =25°C unless otherwise specified)  
C
Items  
Symbols Characteristics Units  
Remarks  
Collector-Emitter Voltage  
Gate-Emitter Voltage  
Transient Gate-Emitter Voltage  
V
CES  
650  
±20  
±30  
56  
40  
160  
V
V
GES  
V
T
T
T
p
<1µs  
=25°C  
=100°C  
Note *1  
CE≤650V  
I
I
I
C@25  
C@100  
CP  
A
A
A
C
DC Collector Current  
C
Pulsed Collector Current  
Turn-Off Safe Operating Area  
Max. Power Dissipation  
Gate  
V
-
160  
A
T
j
≤175°C  
=25°C  
P
D
260  
W
°C  
°C  
TC  
Operating Junction Temperature T  
j
-40 ~ +175  
-55 ~ +175  
Storage Temperature  
Tstg  
Emitter  
Note *1 : Pulse width limited by Tjmax  
.
Electrical characteristics (at T  
j
= 25°C unless otherwise specified)  
Symbols Conditions  
Characteristics  
Description  
Units  
min.  
typ.  
-
max.  
250  
T
T
j
j
=25°C  
=175°C  
-
-
-
µA  
mA  
nA  
V
Zero Gate Voltage Collector Current  
I
CES  
V
CE = 650V, VGE = 0V  
CE = 0V, VGE = ±20V  
-
2
Gate-Emitter Leakage Current  
Gate-Emitter Threshold Voltage  
I
GES  
V
V
-
200  
V
GE (th)  
CE = 20V, I  
C
= 40mA  
3.0  
4.0  
1.80  
2.05  
2.10  
3000  
85  
5.0  
Tj  
Tj  
Tj  
=25°C  
=125°C  
=175°C  
-
-
-
-
-
-
2.20  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
VCE (sat)  
V
GE = 15V, I  
C
= 40A  
-
-
-
-
-
V
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
C
C
C
ies  
V
V
CE=25V  
GE=0V  
oes  
res  
pF  
nC  
f=1MHz  
64  
V
CC = 520V  
Gate Charge  
Q
G
I
C
= 40A  
-
180  
-
V
GE = 15V  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
Turn-On Energy  
Turn-Off Energy  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
t
t
t
t
E
E
d(on)  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
24  
25  
185  
47  
0.29  
0.29  
24  
25  
215  
40  
0.50  
0.32  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Tj  
= 25°C, VCC = 400V  
= 20A, VGE = 15V  
r
ns  
mJ  
ns  
IC  
d(off)  
f
R = 10Ω, L = 500μH  
Energy loss include “tail” and FWD  
(FGW40N65WD) reverse recovery.  
G
on  
off  
t
t
t
t
d(on)  
Tj  
= 150°C, VCC = 400V  
= 20A, VGE = 15V  
r
IC  
d(off)  
f
R = 10Ω, L = 500μH  
Energy loss include “tail” and FWD  
(FGW40N65WD) reverse recovery.  
G
Turn-On Energy  
Turn-Off Energy  
E
E
on  
off  
mJ  
Thermal resistance characteristics  
Items  
Characteristics  
Symbols  
Conditions  
Units  
min.  
typ.  
max.  
Thermal Resistance, Junction-Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
th(j-a)  
th(j-c)  
-
-
-
-
-
-
50  
0.572  
°C/W  
8721a  
FEBRUARY 2016  
1
1234567

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