5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF25R12KF | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C) | M:HL080HD5.3 |
|
| FF25R12KF2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C) | M:HL080HD5.3 |
|
| FF25R12KL | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C) | M:HL080HD5.3 |
|
| FF26 | DDK |
获取价格 |
Ultra-low profile FPC connector |
|
| FF26-39A-R11A-3H | DDK |
获取价格 |
Ultra-low profile FPC connector |
|
| FF26-80A-R11B | DDK |
获取价格 |
Ultra-low profile FPC connector |
|
| FF2906E | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| FF2906J | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| FF2907E | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| FF2907J | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
