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FF200R06KF2

更新时间: 2024-02-03 23:56:52
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2页 98K
描述
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL080HD5.3

FF200R06KF2 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.64最大集电极电流 (IC):200 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码:R-PUFM-X7元件数量:2
端子数量:7最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FF200R06KF2 数据手册

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