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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF200R06KF3 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL080HD5.4 |
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| FF200R06KL | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL080HW048 |
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| FF200R06KL2 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
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| FF200R06ME3 | INFINEON |
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EconoDUALâ¢2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT |
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| FF200R10KF2 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 |
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| FF200R12KE3 | EUPEC |
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IGBT-Module |
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| FF200R12KE3 | INFINEON |
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62 mm 1200 V, 200 A 双 IGBT 模块, 采用第三代沟槽/场终止IGB |
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| FF200R12KE4 | INFINEON |
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62 mm 1200 V, 200 A dual IGBT module?with?TRENCHSTOP? IGBT4 and emitter controlled diode. |
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| FF200R12KE4HOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| FF200R12KE4P | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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