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FF200R12KE3

更新时间： 2024-11-26 11:12:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅双极性晶体管二极管
页数	文件大小	规格书
8页	425K
描述
62 mm 1200 V, 200 A 双 IGBT 模块, 采用第三代沟槽/场终止IGBT、发射极控制高效率二极管，是您设计工作的不二之选。

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FF200R12KE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	针数：	7
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.06	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	295 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	2	端子数量：	7
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1040 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	830 ns	标称接通时间 (ton)：	400 ns
VCEsat-Max：	2.15 V	Base Number Matches：	1

FF200R12KE3 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF200R12KE3

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1200

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

200

295

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

400

1050

+/-20

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 200 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,70 2,15

2,00

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 8,00 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

5,0

5,8

1,90

3,8

14,0

0,50

ꢀ

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 200 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 3,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,25

0,30

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 200 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 3,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,09

0,10

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 200 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 3,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,55

0,65

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 200 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 3,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,13

0,18

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 200 A, V_CE= 600 V, L_S= 80 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 3,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_on

E_off

15,0

35,0

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 200 A, V_CE= 600 V, L_S= 80 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 3,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 900 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

800

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

T_{vj op}

ꢀ

0,12 K/W

125 °C

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

preparedꢀby:ꢀMM

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02

revision:ꢀ3.1

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FF200R12KE4	INFINEON	获取价格	62 mm 1200 V, 200 A dual IGBT module?with?TRENCHSTOP? IGBT4 and emitter controlled diode.
FF200R12KE4HOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF200R12KE4P	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FF200R12KF	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL093HW048
FF200R12KF2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL093HD5.6
FF200R12KL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL093HW048
FF200R12KS4	INFINEON	获取价格	62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching
FF200R12KS4HOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 275A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF200R12KS4P	INFINEON	获取价格	Fast short tail IGBT chip
FF200R12KT3	INFINEON	获取价格	半桥 62 mm 1200V 200 A 双开关 IGBT 模块，采用第三代快速 TREN

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