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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | MODULE-7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.55 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 295 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1040 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 830 ns | 标称接通时间 (ton)： | 400 ns |
| VCEsat-Max： | 2.15 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF200R12KE4 | INFINEON |
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62 mm 1200 V, 200 A dual IGBT module?with?TRENCHSTOP? IGBT4 and emitter controlled diode. |
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| FF200R12KE4HOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| FF200R12KE4P | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| FF200R12KF | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 |
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| FF200R12KF2 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HD5.6 |
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| FF200R12KL | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 |
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| FF200R12KS4 | INFINEON |
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62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching |
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| FF200R12KS4HOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 275A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| FF200R12KS4P | INFINEON |
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Fast short tail IGBT chip |
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| FF200R12KT3 | INFINEON |
获取价格 |
半桥 62 mm 1200V 200 A 双开关 IGBT 模块，采用第三代快速 TREN |
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