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FF200R12KE3

更新时间: 2023-09-03 20:30:57
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英飞凌 - INFINEON 局域网双极性晶体管二极管
页数 文件大小 规格书
8页 425K
描述
62 mm 1200 V, 200 A 双 IGBT 模块, 采用第三代沟槽/场终止IGBT、发射极控制高效率二极管,是您设计工作的不二之选。

FF200R12KE3 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:MODULE-7
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.55
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):295 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-XUFM-X7
元件数量:2端子数量:7
最高工作温度:125 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):1040 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):830 ns标称接通时间 (ton):400 ns
VCEsat-Max:2.15 VBase Number Matches:1

FF200R12KE3 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FF200R12KE3  
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung  
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
VRRM  
IF  
IFRM  
I²t  
1200  
200  
V
A
A
Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent  
PeriodischerꢀSpitzenstrom  
tP = 1 ms  
400  
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent  
Grenzlastintegral  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C  
I²tꢀ-ꢀvalue  
7800  
A²s  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
Forwardꢀvoltage  
IF = 200 A, VGE = 0 V  
IF = 200 A, VGE = 0 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
1,65 2,15  
1,65  
V
V
VF  
Rückstromspitze  
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  
IF = 200 A, - diF/dt = 2000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
150  
190  
A
A
VR = 600 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
IRM  
Sperrverzögerungsladung  
Recoveredꢀcharge  
IF = 200 A, - diF/dt = 2000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
20,0  
36,0  
µC  
µC  
VR = 600 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Qr  
AbschaltenergieꢀproꢀPuls  
Reverseꢀrecoveryꢀenergy  
IF = 200 A, - diF/dt = 2000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
9,00  
17,0  
mJ  
mJ  
VR = 600 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Erec  
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
RthJC  
Tvj op  
0,20 K/W  
125 °C  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
preparedꢀby:ꢀMM  
approvedꢀby:ꢀWR  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02  
revision:ꢀ3.1  
2

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