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FF200R17KE3

更新时间： 2024-11-06 14:55:11

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	429K
描述
62 mm 1700V 200A 双 IGBT 模块, 是您设计工作的不二之选.

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FF200R17KE3 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF200R17KE3

62mmꢀC-SerienꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstopꢀIGBT³ꢀundꢀEmitterꢀControlled³Diodeꢀ

62mmꢀC-seriesꢀmoduleꢀwithꢀtrench/fieldstopꢀIGBT³ꢀandꢀEmitterꢀControlled³ꢀdiodeꢀ

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1700

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

200

310

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

400

1250

+/-20

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 200 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

2,00 2,45

2,40

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 8,00 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

5,2

5,8

2,30

3,8

18,0

0,60

ꢀ

6,4

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1700 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

3,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 200 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 6,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,28

0,30

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 200 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 6,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,08

0,10

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 200 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 6,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,80

1,00

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 200 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 6,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,12

0,20

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 200 A, V_CE= 900 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 6,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

58,0

78,0

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 200 A, V_CE= 900 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 6,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

43,0

63,0

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 1000 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

800

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,10 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,033

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

125

°C

preparedꢀby:ꢀHS

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

12 3 4 5 6 7 8

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与FF200R17KE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FF200R17KE3_07	EUPEC	获取价格	62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT and EmCon diode
FF200R17KE3HOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 390A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF200R17KE4	INFINEON	获取价格	62mm C-Series module with fast trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode
FF200R17KE4HOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 310A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF200R33KF2C	EUPEC	获取价格	IGBT-inverter
FF200R33KF2CNOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 330A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-8
FF200R33KF2V	ETC	获取价格	IGBT Module
FF20-10A-R11A	DDK	获取价格	0.3 mm Pitch Ultra Low Profile FPC Back Lock Connector
FF20-11A-R11A	DDK	获取价格	0.3 mm Pitch Ultra Low Profile FPC Back Lock Connector
FF20-12A-R11A	DDK	获取价格	0.3 mm Pitch Ultra Low Profile FPC Back Lock Connector

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