Datasheet > FF200R12KE4P

FF200R12KE4P

更新时间： 2024-02-12 17:56:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
9页	840K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FF200R12KE4P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.57	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

FF200R12KE4P 数据手册

テクニカルインフォメーションꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-モジュール

IGBT-Module

FF200R12KE4P

62mmꢀC-Seriesꢀモジュールꢀトレンチ/フィールドストップꢀIGBT4ꢀandꢀエミッターコントロールHEꢀdiode内蔵

62mmꢀC-SeriesꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀHEꢀdiode

暫定データꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

V_CES= 1200V

I_{C nom}= 200A / I_CRM= 400A

一般応用

TypicalꢀApplications

• Highꢀpowerꢀconverters

• Motorꢀdrives

• ハイパワーコンバータ

• モーター駆動

• UPSシステム

• 風力タービン

• UPSꢀsystems

• Windꢀturbines

電気的特性

ElectricalꢀFeatures

• 低スイッチング損失

• 優れたロバスト性

• Lowꢀswitchingꢀlosses

• Unbeatableꢀrobustness

• 正温度特性を持ったV_CEsatꢀ飽和電圧

• V_CEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀtemperatureꢀcoefficient

機械的特性

MechanicalꢀFeatures

• CTI(比較トラッキング指数）>400のモジュールパッケージ• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400

• 長い縁面/空間距離

• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances

• 高いパワー密度

• Highꢀpowerꢀdensity

• 絶縁されたベースプレート

• 標準ハウジング

• Isolatedꢀbaseꢀplate

• Standardꢀhousing

• すでに塗布されたサーマルグリース

• Pre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀAKB

approvedꢀby:ꢀMK

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-04-04

revision:ꢀV2.0

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

12 3 4 5 6 7...9

下载PDF

与FF200R12KE4P相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FF200R12KF	ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL093HW048	获取价格
FF200R12KF2	ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL093HD5.6	获取价格
FF200R12KL	ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL093HW048	获取价格
FF200R12KS4	INFINEON	62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching	获取价格
FF200R12KS4HOSA1	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 275A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7	获取价格
FF200R12KS4P	INFINEON	Fast short tail IGBT chip	获取价格