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FF200R12KE4P

更新时间： 2024-02-14 22:06:35

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英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
9页	840K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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FF200R12KE4P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.57	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

FF200R12KE4P 数据手册

テクニカルインフォメーションꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-モジュール

IGBT-Module

FF200R12KE4P

暫定データ

PreliminaryꢀData

スイッチング損失ꢀDiode、インバータꢀ(Typical)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(I_F)

スイッチング損失ꢀDiode、インバータꢀ(Typical)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

R_Gonꢀ=ꢀ2.7ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

I_Fꢀ=ꢀ200ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 150°C

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 150°C

100 150 200 250 300 350 400

I_F[A]

R_G[Ω]

過渡熱インピーダンスꢀDiode、インバータꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ

Z_thJHꢀ=ꢀfꢀ(t)

Z_thJH: Diode

0,1

0,01

r_i[K/W]: 0,017

τ_i[s]: 0,000288 0,0127 0,065 0,79

0,0478 0,1056 0,0326

0,001

0,01

0,1

t [s]

preparedꢀby:ꢀAKB

approvedꢀby:ꢀMK

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-04-04

revision:ꢀV2.0

1...4 5 678 9

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与FF200R12KE4P相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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FF200R12KF2	ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL093HD5.6	获取价格
FF200R12KL	ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL093HW048	获取价格
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