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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | 针数： | 7 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 2.09 | 其他特性： | FAST |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 275 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 590 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 180 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF200R12KS4P | INFINEON |
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Fast short tail IGBT chip |
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| FF200R12KT3 | INFINEON |
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半桥 62 mm 1200V 200 A 双开关 IGBT 模块，采用第三代快速 TREN |
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| FF200R12KT3_E | INFINEON |
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Phase leg |
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| FF200R12KT4 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 320A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| FF200R12KT4HOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 320A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| FF200R17KE3 | EUPEC |
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IGBT-Modules |
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| FF200R17KE3 | INFINEON |
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62 mm 1700V 200A 双 IGBT 模块, 是您设计工作的不二之选. |
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| FF200R17KE3_07 | EUPEC |
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62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT and EmCon diode |
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| FF200R17KE3HOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 390A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| FF200R17KE4 | INFINEON |
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62mm C-Series module with fast trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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