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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.64 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 200 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 500 ns | 标称接通时间 (ton)： | 400 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FF200R06KL | ETC | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL080HW048 |
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| FF200R06KL2 | ETC | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
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| FF200R06ME3 | INFINEON | EconoDUALâ¢2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT |
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| FF200R10KF2 | ETC | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 |
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| FF200R12KE3 | EUPEC | IGBT-Module |
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| FF200R12KE3 | INFINEON | 62 mm 1200 V, 200 A 双 IGBT 模块, 采用第三代沟槽/场终止IGB |
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