5秒后页面跳转
FF200R06ME3 PDF预览

FF200R06ME3

更新时间: 2024-01-17 22:22:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
9页 1215K
描述
EconoDUAL™2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC

FF200R06ME3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:MODULE
包装说明:MODULE-10针数:10
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.64Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):260 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码:R-XUFM-X10元件数量:2
端子数量:10最高工作温度:175 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):600 ns标称接通时间 (ton):190 ns
Base Number Matches:1

FF200R06ME3 数据手册

 浏览型号FF200R06ME3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FF200R06ME3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FF200R06ME3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FF200R06ME3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FF200R06ME3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FF200R06ME3的Datasheet PDF文件第7页 
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FF200R06ME3  
EconoDUAL™2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC  
EconoDUAL™2 module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC  
Vorläufige Daten / preliminary data  
V†Š» = 600V  
I† ÒÓÑ = 200A / I†ç¢ = 400A  
Typische Anwendungen  
Typical Applications  
High Power Converters  
Motor Drives  
Hochleistungsumrichter  
••  
Motorantriebe  
••  
••  
USV-Systeme  
UPS Systems  
Elektrische Eigenschaften  
Electrical Features  
Niedrige Schaltverluste  
Low Switching Losses  
V†ŠÙÈÚ with positive Temperature Coefficient  
Low V†ŠÙÈÚ  
••  
••  
••  
V†ŠÙÈÚ mit positivem Temperaturkoeffizienten  
niedriges V†ŠÙÈÚ  
Mechanische Eigenschaften  
Mechanical Features  
Package with CTI > 200  
Isolated Base Plate  
Standard Housing  
Gehäuse mit CTI > 200  
••  
Isolierte Bodenplatte  
••  
Standardgehäuse  
••  
Module Label Code  
Barcode Code 128  
Content of the Code  
Digit  
Module Serial Number  
1 - 5  
Module Material Number  
Production Order Number  
Datecode (Production Year)  
Datecode (Production Week)  
6 - 11  
12 - 19  
20 - 21  
22 - 23  
DMX - Code  
prepared by: MK  
approved by: RO  
date of publication: 2009-08-12  
revision: 2.2  
material no: 31173  
1

与FF200R06ME3相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
FF200R10KF2 ETC TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048

获取价格

FF200R12KE3 EUPEC IGBT-Module

获取价格

FF200R12KE3 INFINEON 62 mm 1200 V, 200 A 双 IGBT 模块, 采用第三代沟槽/场终止IGB

获取价格

FF200R12KE4 INFINEON 62 mm 1200 V, 200 A dual IGBT module?with?TRENCHSTOP? IGBT4 and emitter controlled diode.

获取价格

FF200R12KE4HOSA1 INFINEON Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

获取价格

FF200R12KE4P INFINEON Insulated Gate Bipolar Transistor,

获取价格