是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | MODULE |
包装说明: | MODULE-10 | 针数: | 10 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.64 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC): | 260 A |
集电极-发射极最大电压: | 600 V | 配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
JESD-30 代码: | R-XUFM-X10 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 10 | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 600 ns | 标称接通时间 (ton): | 190 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
FF200R10KF2 | ETC | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 |
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FF200R12KE3 | EUPEC | IGBT-Module |
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FF200R12KE3 | INFINEON | 62 mm 1200 V, 200 A 双 IGBT 模块, 采用第三代沟槽/场终止IGB |
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FF200R12KE4 | INFINEON | 62 mm 1200 V, 200 A dual IGBT module?with?TRENCHSTOP? IGBT4 and emitter controlled diode. |
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FF200R12KE4HOSA1 | INFINEON | Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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FF200R12KE4P | INFINEON | Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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