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FDZ201N_NL

更新时间： 2024-09-15 19:50:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 176K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 20V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, ULTRA THIN, BGA-12

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FDZ201N_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：GRID ARRAY, R-PBGA-B12针数：12
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.76配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PBGA-B12元件数量：1
端子数量：12工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：BALL
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDZ201N_NL 数据手册

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January 2004  
FDZ201N  
N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET  
General Description  
Features  
Combining Fairchild’s advanced 2.5V specified  
PowerTrench process with state-of-the-art BGA  
packaging, the FDZ201N minimizes both PCB space  
• 9 A, 20 V.  
RDS(ON) = 18 mΩ @ VGS = 4.5 V  
DS(ON) = 30 mΩ @ VGS = 2.5 V  
R
and RDS(ON)  
.
This BGA MOSFET embodies a  
• Occupies only 5 mm2 of PCB area: only 55% of the  
breakthrough in packaging technology which enables  
the device to combine excellent thermal transfer  
characteristics, high current handling capability, ultra-  
area of SSOT-6  
• Ultra-thin package: less than 0.80 mm height when  
low profile packaging, low gate charge, and low RDS(ON)  
.
mounted to PCB  
Applications  
• Outstanding thermal transfer characteristics:  
4 times better than SSOT-6  
• Battery management  
• Load switch  
• Ultra-low Qg x RDS(ON) figure-of-merit  
• Battery protection  
• High power and current handling capability  
D
D
S
G
D
D
S
S
D
D
S
S
D
Pin 1  
G
Pin 1  
Bottom  
Top  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
20  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
±12  
ID  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
9
20  
2
PD  
TJ, TSTG  
Power Dissipation (Steady State)  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
W
°C  
–55 to +150  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
(Note 1)  
64  
8
0.7  
RθJA  
RθJB  
RθJC  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ball  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
201N  
FDZ201N  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDZ201N Rev F2 (W)  
2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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