5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | GRID ARRAY, R-PBGA-B12 |
| 针数： | 12 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.34 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.045 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B12 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 12 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.7 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDZ202P_04 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
|
| FDZ203N | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
|
| FDZ203N_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDZ2040L | FAIRCHILD |
获取价格 |
Integrated Load Switch |
|
| FDZ2040L | ONSEMI |
获取价格 |
集成式负载开关 |
|
| FDZ204P | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench |
|
| FDZ204P_04 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
|
| FDZ206P | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench |
|
| FDZ206P_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 20V, 0.0095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| FDZ208P | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 30 Volt PowerTrench |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
