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FDZ204P_04

更新时间： 2024-11-01 03:36:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
6页 170K
描述
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET

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FDZ204P_04 数据手册

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January 2004  
FDZ204P  
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET  
General Description  
Features  
Combining Fairchild’s advanced 2.5V specified  
PowerTrench process with state of the art BGA  
packaging, the FDZ204P minimizes both PCB space  
• –4.5 A, –20 V. RDS(ON) = 45 mΩ @ VGS = –4.5 V  
DS(ON) = 75 mΩ @ VGS = –2.5 V  
R
and RDS(ON)  
.
This BGA MOSFET embodies a  
• Occupies only 4 mm2 of PCB area.  
breakthrough in packaging technology which enables  
the device to combine excellent thermal transfer  
characteristics, high current handling capability, ultra-  
Less than 40% of the area of a SSOT-6  
• Ultra-thin package: less than 0.80 mm height when  
low profile packaging, low gate charge, and low RDS(ON)  
.
mounted to PCB  
Applications  
• Ultra-low Qg x RDS(ON) figure-of-merit.  
• Battery management  
• Load switch  
• High power and current handling capability.  
• Battery protection  
S
D
S
D
S
S
D
S
S
Pin 1  
G
G
Bottom  
D
Top  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
–20  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
±12  
ID  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
–4.5  
–20  
PD  
TJ, TSTG  
Power Dissipation (Steady State)  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
1.8  
W
°C  
–55 to +150  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
(Note 1)  
67  
11  
1
RθJA  
RθJB  
RθJC  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ball  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
204P  
FDZ204P  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDZ204P Rev. D4 (W)  
2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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