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FDZ209N

更新时间： 2024-10-31 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
6页 172K
描述
60V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET

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FDZ209N 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：GRID ARRAY, R-PBGA-B12
针数：12Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.38
雪崩能效等级（Eas）：90 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：0.08 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PBGA-B12
JESD-609代码：e2元件数量：1
端子数量：12工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：BALL端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDZ209N 数据手册

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May 2004  
FDZ209N  
60V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET  
General Description  
Features  
Combining Fairchild’s advanced PowerTrench process  
with state-of-the-art BGA packaging, the FDZ209N  
• 4 A, 60 V.  
RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = 5 V  
minimizes both PCB space and RDS(ON)  
.
This BGA  
MOSFET embodies breakthrough in packaging  
a
• Occupies only 5 mm2 of PCB area: only 55% of the  
technology which enables the device to combine  
excellent thermal transfer characteristics, high current  
handling capability, ultra-low profile packaging, low gate  
area of SSOT-6  
• Ultra-thin package: less than 0.80 mm height when  
mounted to PCB  
charge, and low RDS(ON)  
.
Applications  
• Outstanding thermal transfer characteristics:  
4 times better than SSOT-6  
• Solenoid Drivers  
• Ultra-low Qg x RDS(ON) figure-of-merit  
• High power and current handling capability  
D
D
S
G
D
D
S
S
D
D
S
S
D
Index  
slot  
Index  
slot  
G
Top  
Bottom  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
60  
V
V
A
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
±20  
4
20  
2
(Note 1a)  
(Note 1a)  
PD  
Power Dissipation (Steady State)  
W
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJB  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
(Note 1)  
64  
8
0.7  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ball  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
209N  
FDZ209N  
7’’  
8mm  
3000 units  
2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDZ209N Rev B2 (W)  
123456

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与FDZ209N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDZ209N_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDZ25/15PSG1EL-K1019 MOLEX

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 		D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male-Female, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT
FDZ25/15PSG1L-K1019 MOLEX

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 		D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male-Female, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT
FDZ25/15PSG1LL-K1019 MOLEX

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 		D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male-Female, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT
FDZ25/15PSG1LR-K1019 MOLEX

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 		D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male-Female, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT
FDZ25/15PSG1M-K1019 MOLEX

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 		D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male-Female, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT
FDZ25/15PSG1MR-K1019 MOLEX

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 		D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male-Female, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT
FDZ25/15PSG2E-K1019 MOLEX

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 		D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male-Female, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT
FDZ25/15PSG2EL-K1019 MOLEX

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 		D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male-Female, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT
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