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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDZ208P
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FDZ208P

更新时间： 2024-10-31 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 185K
描述
P-Channel 30 Volt PowerTrench

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FDZ208P 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：GRID ARRAY, R-PBGA-B30
针数：30Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.32
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：12.5 A最大漏极电流 (ID)：12.5 A
最大漏源导通电阻：0.0105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PBGA-B30元件数量：1
端子数量：30工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：BALL
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDZ208P 数据手册

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May 2004  
FDZ208P  
P-Channel 30 Volt PowerTrench BGA MOSFET  
General Description  
Features  
Combining Fairchild’s advanced 30 Volt P-Channel  
Trench II Process with ± 25 Volts Vgs. Abs. Max Gate  
Rating for the ultimate low Rds Battery Protection  
• –12.5 A, –30 V. RDS(ON) = 10.5 mΩ @ VGS = –10 V  
RDS(ON) = 16.5 mΩ @ VGS = –4.5 V  
MOSFET. This MOSFET also embodies  
a
• Occupies only 14 mm2 of PCB area. Only 42% of  
breakthrough in packaging technology which enables  
the device to combine excellent thermal transfer  
characteristics, high current handling capability, ultra-  
the area of SO-8  
• Ultra-thin package: less than 0.8 mm height when  
mounted to PCB  
low profile packaging, low gate charge, and low RDS(ON)  
.
• 3.5 x 4 mm2 footprint  
Applications  
• Battery management  
• Load switch  
• High power and current handling capability  
• Battery protection  
S
Pin1  
D
D
D
D
D
D
S
S
S
G
D
S
S
S
S
D
S
S
S
S
D
S
S
S
S
D
D
D
D
D
G
Pin 1  
D
Top  
Bottom  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
–30  
± 25  
–12.5  
Units  
V
V
A
VDSS  
Drain-Source Voltage  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
–60  
PD  
Power Dissipation (Steady State)  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
2.2  
1.0  
W
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJB  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
(Note 1)  
56  
4.5  
0.6  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ball  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
208P  
FDZ208P  
7’’  
8mm  
3000 units  
2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDZ208P Rev C3 (W)  
123456

中文翻译

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FDZ208P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDMC7692 FAIRCHILD

功能相似

 N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 13.3 A,
FDMC7672 FAIRCHILD

功能相似

 N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 16.9 A,
FDMC6679AZ FAIRCHILD

功能相似

 P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 V, -20 A, 1

与FDZ208P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDZ208P_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon,
FDZ209N FAIRCHILD

获取价格

 		60V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET
FDZ209N_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDZ25/15PSG1EL-K1019 MOLEX

获取价格

 		D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male-Female, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT
FDZ25/15PSG1L-K1019 MOLEX

获取价格

 		D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male-Female, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT
FDZ25/15PSG1LL-K1019 MOLEX

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 		D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male-Female, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT
FDZ25/15PSG1LR-K1019 MOLEX

获取价格

 		D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male-Female, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT
FDZ25/15PSG1M-K1019 MOLEX

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 		D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male-Female, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT
FDZ25/15PSG1MR-K1019 MOLEX

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 		D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male-Female, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT
FDZ25/15PSG2E-K1019 MOLEX

获取价格

 		D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male-Female, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT

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