FDZ204P

更新时间： 2024-09-14 22:31:47

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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6页	194K
描述
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench

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FDZ204P 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	ULTRA THIN, BGA-9
针数：	9	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.31
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A
最大漏极电流 (ID)：	4.5 A	最大漏源导通电阻：	0.045 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-PBGA-B9
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	9
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDZ204P 数据手册

March 2003

FDZ204P

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET

General Description

Features

Combining Fairchild’s advanced 2.5V specified

PowerTrench process with state of the art BGA

packaging, the FDZ204P minimizes both PCB space

• –4.5 A, –20 V. R_DS(ON)= 45 mΩ @ V_GS= –4.5 V

R_DS(ON)= 75 mΩ @ V_GS= –2.5 V

and R_DS(ON)

This BGA MOSFET embodies a

• Occupies only 4 mm²of PCB area.

breakthrough in packaging technology which enables

the device to combine excellent thermal transfer

characteristics, high current handling capability, ultra-

Less than 40% of the area of a SSOT-6

• Ultra-thin package: less than 0.80 mm height when

mounted to PCB

low profile packaging, low gate charge, and low R_DS(ON)

Applications

• Ultra-low Q_gx R_DS(ON)figure-of-merit.

• Battery management

• Load switch

• High power and current handling capability.

• Battery protection

Pin 1

Bottom

Top

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Ratings

–20

Units

V_DSS

Drain-Source Voltage

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage

Drain Current – Continuous

– Pulsed

±12

–4.5

–20

1.8

(Note 1a)

P_D

Power Dissipation (Steady State)

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +150

°C

Thermal Characteristics

R_θJA

R_θJB

R_θJC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Ball

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

204P

FDZ204P

7’’

8mm

3000 units

2003 Fairchild Semiconductor Corporation

FDZ204P Rev. D2 (W)

12 3 4 5 6

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与FDZ204P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDZ204P_04	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDZ206P	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 2.5V Specified PowerTrench
FDZ206P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 20V, 0.0095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
FDZ208P	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 30 Volt PowerTrench
FDZ208P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon,
FDZ209N	FAIRCHILD	获取价格	60V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET
FDZ209N_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDZ25/15PSG1EL-K1019	MOLEX	获取价格	D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male-Female, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT
FDZ25/15PSG1L-K1019	MOLEX	获取价格	D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male-Female, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT
FDZ25/15PSG1LL-K1019	MOLEX	获取价格	D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male-Female, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT

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