是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | SOT-523F |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.69 |
其他特性: | ESD PROTECTION | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.6 A |
最大漏极电流 (ID): | 0.6 A | 最大漏源导通电阻: | 0.7 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-F3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.625 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NTA4153NT1G | ONSEMI |
功能相似 |
Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N−Channel with ESD Protection, SC−75 | |
NTE4153NT1G | ONSEMI |
功能相似 |
Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N−Channel with ESD Protection, SC−75 | |
NTK3134NT1G | ONSEMI |
功能相似 |
Power MOSFET 20 V, 890 mA, Single N−Channel with ESD Protection, SOT−723 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDY300NZ_07 | FAIRCHILD |
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Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDY300NZ-G | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
FDY301NZ | FAIRCHILD |
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Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDY301NZ | ONSEMI |
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N 沟道 2.5V 指定 PowerTrench® MOSFET 20V,0.2A,5Ω | |
FDY302NZ | FAIRCHILD |
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FDY302NZ Single N-Channel 2.5V Specified Powe | |
FDY302NZ | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 2.5V 额定 PowerTrench® MOSFET 20V,0.6A,0.3 | |
FDY4000CZ | FAIRCHILD |
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Complementary N & P-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDY4000CZ | ONSEMI |
获取价格 |
互补,N 和 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,20V | |
FDY4001CZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
Complementary N & P-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDY6342L | FAIRCHILD |
获取价格 |
Integrated Load Switch |