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FDY300NZ

更新时间: 2024-10-28 03:36:31
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
6页 265K
描述
Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FDY300NZ 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-523F
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.69
其他特性:ESD PROTECTION配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.6 A
最大漏极电流 (ID):0.6 A最大漏源导通电阻:0.7 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-F3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.625 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FDY300NZ 数据手册

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Typical Characteristics  
1
2.6  
2.4  
2.2  
2
VGS = 4.5V  
3.5V  
3.0V  
2.5V  
VGS = 2.0V  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
2.0V  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1
2.5V  
3.0V  
3.5V  
4.5V  
0.8  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1
0
0.25  
0.5  
0.75  
1
ID, DRAIN CURRENT (A)  
V
DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 1. On-Region Characteristics.  
Figure 2. On-Resistance Variation with  
Drain Current and Gate Voltage.  
0.9  
1.6  
1.4  
1.2  
1
ID = 600mA  
VGS = 4.5V  
ID = 300mA  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
TA = 125oC  
0.8  
0.6  
TA = 25oC  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
1
2
3
4
5
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)  
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 3. On-Resistance Variation with  
Temperature.  
Figure 4. On-Resistance Variation with  
Gate-to-Source Voltage.  
1
1.5  
25oC  
VGS = 0V  
VDS = 5V  
TA = -55oC  
1.2  
0.9  
0.6  
0.3  
0
0.1  
125oC  
TA = 125oC  
0.01  
25oC  
-55oC  
0.001  
0.0001  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1
1.2  
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
V
SD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)  
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 5. Transfer Characteristics.  
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation  
with Source Current and Temperature.  
FDY300NZ Rev B  
www.fairchildsemi.com  

FDY300NZ 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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N 沟道 2.5V 指定 PowerTrench® MOSFET 20V,0.2A,5Ω
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N 沟道 2.5V 额定 PowerTrench® MOSFET 20V,0.6A,0.3
FDY4000CZ FAIRCHILD

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Complementary N & P-Channel PowerTrench MOSFET
FDY4000CZ ONSEMI

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互补,N 和 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,20V
FDY4001CZ FAIRCHILD

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Complementary N & P-Channel PowerTrench MOSFET
FDY6342L FAIRCHILD

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Integrated Load Switch