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FDY300NZ-G

更新时间： 2024-01-23 05:15:21

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
6页	266K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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技术参数
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FDY300NZ-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.6 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

FDY300NZ-G 数据手册

January 2007

FDY300NZ

Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench^MOSFET

General Description

Features

This Single N-Channel MOSFET has been designed

using Fairchild Semiconductor s advanced Power

Trench process to optimize the R_DS(ON)@ V_GS= 2.5v.

• 600 mA, 20 V R_DS(ON)= 700 mΩ @ V_GS= 4.5 V

_DS(ON)= 850 mΩ @ V_GS= 2.5 V

Applications

• ESD protection diode (note 3)

• RoHS Compliant

• Li-Ion Battery Pack

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Ratings

Unit

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

± 12

600

Gate-Source Voltage

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a) 1a)

1000

P_D

Power Dissipation (Steady State)

(Note 1a) 1a)

(Note 1b) 1

625

446

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature

Range

–55 to +150

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a) 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1b) 1

200

280

R_θJA

°C/W

R_θJA

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

FDY300NZ

8 mm

3000 units

www.fairchildsemi.com

2007 Fairchild Semiconductor Corporation

FDY300NZ Rev B

12 3 4 5 6

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与FDY300NZ-G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDY301NZ	FAIRCHILD	Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET	获取价格
FDY301NZ	ONSEMI	N 沟道 2.5V 指定 PowerTrench® MOSFET 20V，0.2A，5Ω	获取价格
FDY302NZ	FAIRCHILD	FDY302NZ Single N-Channel 2.5V Specified Powe	获取价格
FDY302NZ	ONSEMI	N 沟道 2.5V 额定 PowerTrench® MOSFET 20V，0.6A，0.3	获取价格
FDY4000CZ	FAIRCHILD	Complementary N & P-Channel PowerTrench MOSFET	获取价格
FDY4000CZ	ONSEMI	互补，N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，20V	获取价格