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FDY300NZ-G

更新时间： 2024-02-29 06:09:42

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
6页	266K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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技术参数
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FDY300NZ-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.6 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

FDY300NZ-G 数据手册

Typical Characteristics

2.6

2.4

2.2

V_GS= 4.5V

3.5V

3.0V

2.5V

V_GS= 2.0V

0.8

0.6

0.4

0.2

2.0V

1.8

1.6

1.4

1.2

2.5V

3.0V

3.5V

4.5V

0.8

0.2

0.4

0.6

0.8

0.25

0.5

0.75

I_D, DRAIN CURRENT (A)

_DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 1. On-Region Characteristics.

Figure 2. On-Resistance Variation with

Drain Current and Gate Voltage.

0.9

1.6

1.4

1.2

I_D= 600mA

V_GS= 4.5V

I_D= 300mA

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

T_A= 125^oC

0.8

0.6

T_A= 25^oC

-50

-25

100

125

150

T_J, JUNCTION TEMPERATURE (^oC)

V_GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 3. On-Resistance Variation with

Temperature.

Figure 4. On-Resistance Variation with

Gate-to-Source Voltage.

1.5

25^oC

V_GS= 0V

V_DS= 5V

T_A= -55^oC

1.2

0.9

0.6

0.3

0.1

125^oC

T_A= 125^oC

0.01

25^oC

-55^oC

0.001

0.0001

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

0.5

1.5

2.5

_SD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)

V_GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 5. Transfer Characteristics.

Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation

with Source Current and Temperature.

FDY300NZ Rev B

www.fairchildsemi.com

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与FDY300NZ-G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDY301NZ	FAIRCHILD	Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET	获取价格
FDY301NZ	ONSEMI	N 沟道 2.5V 指定 PowerTrench® MOSFET 20V，0.2A，5Ω	获取价格
FDY302NZ	FAIRCHILD	FDY302NZ Single N-Channel 2.5V Specified Powe	获取价格
FDY302NZ	ONSEMI	N 沟道 2.5V 额定 PowerTrench® MOSFET 20V，0.6A，0.3	获取价格
FDY4000CZ	FAIRCHILD	Complementary N & P-Channel PowerTrench MOSFET	获取价格
FDY4000CZ	ONSEMI	互补，N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，20V	获取价格