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FDY300NZ-G

更新时间: 2024-02-25 13:24:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
6页 266K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

FDY300NZ-G 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.6 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.625 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
Base Number Matches:1

FDY300NZ-G 数据手册

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Dimensional Outline and Pad Layout  
1.70  
1.50  
0.35  
0.25  
0.50  
0.50  
3
1.70  
1.50  
0.98  
0.78  
1.14  
1.80  
1
2
(0.15)  
0.50  
0.66  
0.50  
1.00  
LAND PATTERN RECOMMENDATION  
0.78  
0.20  
0.58  
SEE DETAIL A  
0.04  
0.43  
0.54  
0.34  
0.28  
DETAIL A  
0.10  
0.00  
SCALE 2 : 1  
NOTES: UNLESS OTHERWISE SPECIFIED  
A) THIS PACKAGE CONFORMS TO EIAJ  
SC89 PACKAGING STANDARD.  
B) ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.  
C) DIMENSIONS ARE EXCLUSIVE OF BURRS,  
MOLD FLASH, AND TIE BAR EXTRUSIONS.  
FDY300NZ Rev B  
www.fairchildsemi.com  

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