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NTE4153NT1G

更新时间： 2024-01-05 20:17:45
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 69K
描述
Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N−Channel with ESD Protection, SC−75 and SC−89

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NTE4153NT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-89包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：9 weeks
风险等级：0.73配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.915 A
最大漏极电流 (ID)：0.915 A最大漏源导通电阻：0.23 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTE4153NT1G 数据手册

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NTA4153N, NTE4153N  
Small Signal MOSFET  
20 V, 915 mA, Single N−Channel  
with ESD Protection, SC−75 and SC−89  
Features  
http://onsemi.com  
• Low R  
Improving System Efficiency  
DS(on)  
• Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated  
• ESD Protected Gate  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
0.127 W @ 4.5 V  
0.170 W @ 2.5 V  
0.242 W @ 1.8 V  
0.500 W @ 1.5 V  
• Pb−Free Packages are Available  
20 V  
915 mA  
Applications  
• Load/Power Switches  
• Power Supply Converter Circuits  
• Battery Management  
3
N−Channel MOSFET  
• Portables like Cell Phones, PDAs, Digital Cameras, Pagers, etc.  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value Units  
V
20  
V
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
6.0  
1
GS  
2
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady T = 25°C  
I
915  
660  
300  
mA  
A
D
MARKING DIAGRAM &  
PIN ASSIGNMENT  
State  
T = 85°C  
A
3
3
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady State  
P
mW  
D
3
SC−75 / SOT−416  
CASE 463  
Drain  
2
2
Pulsed Drain Current  
t =10 ms  
p
I
1.3  
A
DM  
1
1
STYLE 5  
XX MG  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
STG  
−55 to  
150  
°C  
J
T
G
SC−89  
CASE 463C  
Continuous Source Current (Body Diode)  
I
280  
260  
mA  
S
1
2
Gate Source  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
°C  
T
L
XX  
= Device Code  
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
M
G
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Value Units  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
R
q
JA  
°C/W  
SC−75 / SOT−416  
SC−89  
416  
400  
SC−75, SC−89  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
Gate  
1
2
1. Surface mounted on FR4 board using 1 in sq pad size  
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).  
3
Drain  
Source  
Top View  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
March, 2007 − Rev. 5  
NTA4153N/D  
 
123456

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NTE4153NT1G 替代型号

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