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NTE42

更新时间: 2024-11-04 20:19:23
品牌 Logo 应用领域
NTE 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 111K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon

NTE42 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.8其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE):400
JESD-30 代码:R-PSIP-W5元件数量:2
端子数量:5封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

NTE42 数据手册

  

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