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FDY300NZ

更新时间： 2024-11-23 03:36:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
6页 265K
描述
Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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FDY300NZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-523F
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.69
其他特性：ESD PROTECTION配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.6 A
最大漏极电流 (ID)：0.6 A最大漏源导通电阻：0.7 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDY300NZ 数据手册

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January 2007  
tm  
FDY300NZ  
Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchMOSFET  
General Description  
Features  
This Single N-Channel MOSFET has been designed  
using Fairchild Semiconductor s advanced Power  
Trench process to optimize the RDS(ON) @ VGS = 2.5v.  
• 600 mA, 20 V RDS(ON) = 700 mΩ @ VGS = 4.5 V  
DS(ON) = 850 mΩ @ VGS = 2.5 V  
R
Applications  
• ESD protection diode (note 3)  
• RoHS Compliant  
• Li-Ion Battery Pack  
S  
G
S
1
2
G
3
D
D
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Unit  
s
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
20  
± 12  
600  
V
V
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a) 1a)  
mA  
1000  
PD  
Power Dissipation (Steady State)  
(Note 1a) 1a)  
(Note 1b) 1  
625  
446  
mW  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature  
Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a) 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1b) 1  
200  
280  
RθJA  
°C/W  
RθJA  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
C
FDY300NZ  
7
8 mm  
3000 units  
www.fairchildsemi.com  
2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDY300NZ Rev B  
123456

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FDY300NZ 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTA4153NT1G ONSEMI

功能相似

 Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N−Channel with ESD Protection, SC−75
NTE4153NT1G ONSEMI

功能相似

 Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N−Channel with ESD Protection, SC−75
NTK3134NT1G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET 20 V, 890 mA, Single N−Channel with ESD Protection, SOT−723

与FDY300NZ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDY300NZ_07 FAIRCHILD

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 		Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDY300NZ-G FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDY301NZ FAIRCHILD

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 		Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDY301NZ ONSEMI

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 		N 沟道 2.5V 指定 PowerTrench® MOSFET 20V，0.2A，5Ω
FDY302NZ FAIRCHILD

获取价格

 		FDY302NZ Single N-Channel 2.5V Specified Powe
FDY302NZ ONSEMI

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 		N 沟道 2.5V 额定 PowerTrench® MOSFET 20V，0.6A，0.3
FDY4000CZ FAIRCHILD

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 		Complementary N & P-Channel PowerTrench MOSFET
FDY4000CZ ONSEMI

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 		互补，N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，20V
FDY4001CZ FAIRCHILD

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 		Complementary N & P-Channel PowerTrench MOSFET
FDY6342L FAIRCHILD

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 		Integrated Load Switch

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