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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TSSOP |
| 包装说明： | TSSOP-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.36 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 12 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDW2508P_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| FDW2508PB | FAIRCHILD |
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FDW2508PB Dual P-Channel -1.8V Specified PowerTrench MOSFET -12V, -6A, 18mohm |
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| FDW2509 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
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| FDW2509NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
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| FDW2509NZ_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FDW2510NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
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| FDW2510NZ_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 20V, 0.024ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FDW2511NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
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| FDW2511NZ_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MO |
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| FDW2511NZ_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 20V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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