是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.72 |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 12 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6 A | 最大漏极电流 (ID): | 6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.03 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 30 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDW2509 | FAIRCHILD |
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Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDW2509NZ | FAIRCHILD |
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Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDW2509NZ_NL | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
FDW2510NZ | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDW2510NZ_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 20V, 0.024ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDW2511NZ | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDW2511NZ_08 | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MO | |
FDW2511NZ_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 20V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FDW2512NZ | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDW2512NZ_08 | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |