是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.71 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 14 A |
最大漏极电流 (ID): | 14 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0076 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 120 pF |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BSO040N03MSG | INFINEON |
类似代替 |
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET | |
SI4162DY-T1-GE3 | VISHAY |
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功能相似 |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDS8812NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 20A, 4.0mohm | |
FDS8813NZ | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V,18.5A,4.5mΩ | |
FDS8813NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 18.5A, 4.5mohm | |
FDS8813NZ-G | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
FDS8817NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 15A, 7.0mohm | |
FDS8817NZ | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,15A,7.0mΩ | |
FDS8840NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40 V, 18.6 A, 4 | |
FDS8840NZ | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,18.6A,4.5mΩ | |
FDS8842NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40 V, 14.9 A, 7 | |
FDS8842NZ | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,14.9A,7.0mΩ |