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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.75 | 雪崩能效等级（Eas）： | 420 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 17 A | 最大漏极电流 (ID)： | 18 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0042 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS8874 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS8874_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS8876 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS8876 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，12.5A，8.5mΩ |
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| FDS8876_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 12.5A, 8.2 |
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| FDS8876_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDS8876-F40 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，12.5A，8.5mΩ |
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| FDS8878 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS8878 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，10.2A，14mΩ |
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| FDS8878 | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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