是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOT | 包装说明: | LEAD FREE, SO-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.35 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 57 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 10.2 A |
最大漏极电流 (ID): | 10.2 A | 最大漏源导通电阻: | 0.014 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FDS8878 | ONSEMI |
功能相似 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,10.2A,14mΩ | |
FDS8878 | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDS8878-F123 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,10.2A,14mΩ | |
FDS8880 | ADI |
获取价格 |
20 V, 6 A Synchronous Step-Down | |
FDS8880 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDS8880 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,11.6A,10mΩ | |
FDS8880_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET | |
FDS8882 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 9 A, 20.0 | |
FDS8882 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,9A,20.0mΩ | |
FDS8884 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 8.5A, 23mOhm | |
FDS8884 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V,8.5A,23mΩ | |
FDS8884 | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):30V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 |