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FDS8878_NL

更新时间: 2024-11-26 04:18:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 635K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET

FDS8878_NL 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT包装说明:LEAD FREE, SO-8
针数:8Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.35Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):57 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):10.2 A
最大漏极电流 (ID):10.2 A最大漏源导通电阻:0.014 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):2.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FDS8878_NL 数据手册

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June 2005  
FDS8878  
®
N-Channel PowerTrench MOSFET  
30V, 10.2A, 14mΩ  
Features  
General Description  
„ r  
= 14m, V = 10V, I = 10.2A  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency of DC/DC converters using  
either synchronous or conventional switching PWM  
controllers. It has been optimized for low gate charge, low  
DS(ON)  
GS  
D
„ r  
= 17m, V = 4.5V, I = 9.3A  
DS(ON)  
GS  
D
„ High performance trench technology for extremely low  
r
r
and fast switching speed.  
DS(ON)  
DS(ON)  
„ Low gate charge  
„ High power and current handling capability  
Applications  
„ DC/DC converters  
Branding Dash  
5
6
7
8
4
3
2
1
5
1
2
3
4
SO-8  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS8878 Rev. A1  
1
www.fairchildsemi.com  

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种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):30V;持续漏极电流(Id)(在25°C时