是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 18 weeks | 风险等级: | 0.97 |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8.6 A | 最大漏极电流 (ID): | 8.6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.017 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 20 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SI4542DY | ONSEMI |
类似代替 |
30V,互补,PowerTrench® MOSFET | |
BSO4410 | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS Small-Signal-Transistor | |
STS11NF30L | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 30V - 0.009 ohm - 11A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDS8870 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDS8870 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,18A,4.2mΩ | |
FDS8870_07 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET | |
FDS8870_NL | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDS8874 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDS8874_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDS8876 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDS8876 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,12.5A,8.5mΩ | |
FDS8876_07 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 12.5A, 8.2 | |
FDS8876_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |