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FDS8842NZ

更新时间： 2024-11-23 06:59:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 306K
描述
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40 V, 14.9 A, 7.0 mΩ

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FDS8842NZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.33
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：14.9 A
最大漏极电流 (ID)：14.9 A最大漏源导通电阻：0.007 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：330 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS8842NZ 数据手册

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February 2009  
FDS8842NZ  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
40 V, 14.9 A, 7.0 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 7.0 mΩ at VGS = 10 V, ID = 14.9 A  
„ Max rDS(on) = 11.6 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 11.6 A  
„ HBM ESD protection level of 4.4 kV typical(note 3)  
The FDS8842NZ has been designed to minimize losses in  
power conversion application. Advancements in both silicon and  
package technologies have been combined to offer the lowest  
rDS(on) while maintaining excellent switching performance.  
„ High performance trench technology for extremely low rDS(on)  
and fast switching  
Applications  
„ Synchronous Buck for Notebook Vcore and Server  
„ Notebook Battery  
„ High power and current handling capability  
„ Termination is Lead-free and RoHS Compliant  
„ Load Switch  
D
D
D
G
D
D
D
D
S
S
G
SO-8  
S
S
D
S
Pin 1  
S
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
40  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Pulsed  
V
V
±20  
14.9  
ID  
A
93  
EAS  
PD  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
(Note 4)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
253  
mJ  
W
TA = 25 °C  
TA = 25 °C  
2.5  
Power Dissipation  
1.0  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1)  
25  
50  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDS8842NZ  
FDS8842NZ  
SO8  
13 ’’  
2500 units  
1
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS8842NZ Rev.C  
www.fairchildsemi.com  
123456

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