FDS8813NZ-G

更新时间： 2024-02-24 04:55:41

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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6页	319K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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FDS8813NZ-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18.5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

FDS8813NZ-G 数据手册

March 2007

FDS8813NZ

N-Channel PowerTrench^®MOSFET

30V, 18.5A, 4.5mΩ

Features

General Description

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild

Semiconductor’s advanced PowerTrench^®process that has

been especially tailored to minimize the on-state resistance.

Max r_DS(on)= 4.5mΩ at V_GS= 10V, I_D= 18.5A

Max r_DS(on)= 6.0mΩ at V_GS= 4.5V, I_D=16A

HBM ESD protection level of 5.6kV typical (note 3)

High performance trench technology for extremely low r_DS(on)

High power and current handling capability

RoHS compliant

This device is well suited for Power Management and load

switching applications common in Notebook Computers and

Portable Battery Packs.

SO-8

Pin 1

MOSFET Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

V_DS

V_GS

Parameter

Ratings

Units

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

±20

Drain Current

-Continuous

-Pulsed

(Note 1a)

18.5

I_D

E_AS

P_D

Single Pulse Avalanche Energy

Power Dissipation

(Note 4)

(Note 1a)

(Note 1b)

337

2.5

Power Dissipation

1.0

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

°C

Thermal Characteristics

R_θJC

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Case

(Note 1)

(Note 1a)

(Note 1b)

Thermal Resistance, Junction to Ambient

°C/W

125

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape Width

12mm

Quantity

FDS8813NZ

13”

2500 units

FDS8813NZ Rev.C

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5 6

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与FDS8813NZ-G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDS8817NZ	FAIRCHILD	N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 15A, 7.0mohm	获取价格
FDS8817NZ	ONSEMI	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，15A，7.0mΩ	获取价格
FDS8840NZ	FAIRCHILD	N-Channel PowerTrench® MOSFET 40 V, 18.6 A, 4	获取价格
FDS8840NZ	ONSEMI	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，18.6A，4.5mΩ	获取价格
FDS8842NZ	FAIRCHILD	N-Channel PowerTrench® MOSFET 40 V, 14.9 A, 7	获取价格
FDS8842NZ	ONSEMI	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，14.9A，7.0mΩ	获取价格